Ближнепольный оптический сканирующий микроскопFTIR-neaSNOM (США, 2020 г) – Центры коллективного пользования Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН

Ближнепольный оптический сканирующий микроскопFTIR-neaSNOM (США, 2020 г)

Возможности прибора:

Микроскоп FTIR-neaSNOM позволяет одновременно исследовать наноструктуру и
спектральные свойства широкого круга объектов. Он позволяет объединить
преимущества нескольких методов: оптической спектроскопии в видимом и ИК
диапазонах длин волн от 400 нм до 15,4 мкм, терагерцовой спектроскопии (волны
0.1-1.0 мм) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) с латеральным разрешением
сканирования до 1 нм и вертикальным разрешением 0.2 нм. Возможности прибора
позволяют получать спектральную информацию даже с единичной молекулы!
Данный прибор является, по сути, единственным эффективным методом
исследования структуры и физико-химических свойств поверхности образца с
одновременным получением спектральной информации о его составе.
Данный микроскоп позволит исследовать любые объекты, с которых можно снять
информативный ИК спектр (фактически весь набор органических и
неорганических соединений), получая информацию о их составе и структуре на
наноуровне.

Технические характеристики и назначение:

Доступный диапазон длин волн:	0.5 – 20 мкм с возможностью расширения видимого диапазона до 0.4 мкм, а также работы в терагерцовом диапазоне (0.1-3.0 THz)
Диапазон регистрации спектров ИК	500-4000 см^-1
Разрешение сканирования:	Латеральное – предельное 0.4 нм (реальное зависит от зонда, в рутинных измерениях 10-15 нм) Вертикальное – 0.2 нм
Режимы сканирования:	Контактные, полуконтактные.
Круг исследуемых объектов:	Полупроводники, оксиды металлов, полимеры, практически любые органические и неорганические тонкие пленки, пластины, кристаллы, биомолекулы.
Получаемые на микроскопе данные	Топография поверхности Фазовый контраст Магнитные свойства и доменная структура материалов с нанометровым разрешением; Локальная твердость образцов с нанометровым разрешением; Измерение вязкости и картирование по поверхности с нанометровым разрешением; Локальное распределение потенциала (работа выхода) и локальная электропроводность (conductive AFM); Реальное распределение носителей зарядов в образцах полупроводниковых материалов; ИК-спектры с любой точки поверхности + картирование поверхности по любым выбранным полосам в ИК-спектре с латеральным разрешение не хуже 15 нм;

Возможности прибора:

Технические характеристики и назначение:

Доступный диапазон длин волн:	0.5 – 20 мкм с возможностью расширения видимого диапазона до 0.4 мкм, а также работы в терагерцовом диапазоне (0.1-3.0 THz)
Диапазон регистрации спектров ИК	500-4000 см^-1
Разрешение сканирования:	Латеральное – предельное 0.4 нм (реальное зависит от зонда, в рутинных измерениях 10-15 нм) Вертикальное – 0.2 нм
Режимы сканирования:	Контактные, полуконтактные.
Круг исследуемых объектов:	Полупроводники, оксиды металлов, полимеры, практически любые органические и неорганические тонкие пленки, пластины, кристаллы, биомолекулы.
Получаемые на микроскопе данные	Топография поверхности Фазовый контраст Магнитные свойства и доменная структура материалов с нанометровым разрешением; Локальная твердость образцов с нанометровым разрешением; Измерение вязкости и картирование по поверхности с нанометровым разрешением; Локальное распределение потенциала (работа выхода) и локальная электропроводность (conductive AFM); Реальное распределение носителей зарядов в образцах полупроводниковых материалов; ИК-спектры с любой точки поверхности + картирование поверхности по любым выбранным полосам в ИК-спектре с латеральным разрешение не хуже 15 нм;