|
Основное направление деятельности Исследование низкотемпературной кинетики гибели фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Определение времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Получение сведений об энергии активации процессов при исследовании низкотемпературной микроволновой фотопроводимости. Для анализа закономерностей спадов микроволнового фотоотклика разработано программное обеспечение, имеется возможность сравнения экспериментальных зависимостей с расчетом моделей, включающих определенный набор элементарных процессов. Расчеты проводятся как в предположении гомогенного распределения реагентов в реакционном объеме, так и в условиях неоднородного поглощения света, с учетом особенностей распределения свойств поверхности и объема образца. Параметры установки: «Перечень имеющихся методик: Измерения времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниках» Документы: Приказ о создании УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ” Положение об УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ” Регламент доступа к оборудованию УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ” Порядок конкурсного отбора заявок и выполнения работ в УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ” Контакты: По вопросам календарной загрузке УНУ, текущем плане работ, а также о порядке расчета стоимости нестандартных услуг обращаться: Руководитель УНУ: к.ф.-м.н. Рабенок Евгения Витальевна |
Основное направление деятельности
Исследование низкотемпературной кинетики гибели фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Определение времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Получение сведений об энергии активации процессов при исследовании низкотемпературной микроволновой фотопроводимости. Для анализа закономерностей спадов микроволнового фотоотклика разработано программное обеспечение, имеется возможность сравнения экспериментальных зависимостей с расчетом моделей, включающих определенный набор элементарных процессов. Расчеты проводятся как в предположении гомогенного распределения реагентов в реакционном объеме, так и в условиях неоднородного поглощения света, с учетом особенностей распределения свойств поверхности и объема образца.
Параметры установки:
Постоянная времени (разрешение установки) частотного диапазона 10 нс.
Измерения проводятся в интервале температур 150-300 К.
Источником света: Азотный лазер ЛГИ-505, длина волны 337 нм с длительностью импульса 10 нс.
«Перечень имеющихся методик:
Измерения времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниках»
Документы:
Приказ о создании УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ”
Положение об УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ”
Регламент доступа к оборудованию УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ”
Порядок конкурсного отбора заявок и выполнения работ в УНУ “Микроволновая фотопроводимость 36 ГГЦ”
Контакты:
По вопросам календарной загрузке УНУ, текущем плане работ, а также о порядке расчета стоимости нестандартных услуг обращаться:
Руководитель УНУ: к.ф.-м.н. Рабенок Евгения Витальевна
Тел./факс: (49652)21842
e-mail: rabenok@icp.ac.ru