|
Основное направление деятельности Исследование кинетики гибели фотогенерированных носителей тока в в порошкообразных и тонкопленочных полупроводниковых материалах. Определение времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Для анализа закономерностей спадов микроволнового фотоотклика разработано программное обеспечение, имеется возможность сравнения экспериментальных зависимостей с расчетом моделей, включающих определенный набор элементарных процессов. Расчеты проводятся как в предположении гомогенного распределения реагентов в реакционном объеме, так и в условиях неоднородного поглощения света, с учетом особенностей распределения свойств поверхности и объема образца. Для сравнительного анализ изменения добротности резонатора и резонансной частоты, позволяющего получить данные не только о свободных носителях тока, но и локализованных, разработано программное обеспечение. Контроль времени жизни – прямой способ получать данные о количестве примесей акцептов зарядов в образцах, что принципиально важно для создания солнечных батарей с высоким коэффициентом трансформации солнечной энергии. Параметры установки: «Перечень имеющихся методик: Измерения времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниках» Источники света: Документы: Приказ о создании УНУ “Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ” Положение об УНУ “Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ” Регламент доступа к оборудованию “УНУ Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ” Порядок конкурсного отбора заявок и выполнения работ в УНУ “Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ” Контакты По вопросам календарной загрузке УНУ, текущем плане работ, а также о порядке расчета стоимости нестандартных услуг обращаться: Руководитель УНУ: к.ф.-м.н. Рабенок Евгения Витальевна |
Основное направление деятельности
Исследование кинетики гибели фотогенерированных носителей тока в в порошкообразных и тонкопленочных полупроводниковых материалах. Определение времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниковых материалах. Для анализа закономерностей спадов микроволнового фотоотклика разработано программное обеспечение, имеется возможность сравнения экспериментальных зависимостей с расчетом моделей, включающих определенный набор элементарных процессов. Расчеты проводятся как в предположении гомогенного распределения реагентов в реакционном объеме, так и в условиях неоднородного поглощения света, с учетом особенностей распределения свойств поверхности и объема образца. Для сравнительного анализ изменения добротности резонатора и резонансной частоты, позволяющего получить данные не только о свободных носителях тока, но и локализованных, разработано программное обеспечение. Контроль времени жизни – прямой способ получать данные о количестве примесей акцептов зарядов в образцах, что принципиально важно для создания солнечных батарей с высоким коэффициентом трансформации солнечной энергии.
Параметры установки:
Постоянная времени (разрешение установки) частотного диапазона 50 нс.
«Перечень имеющихся методик:
Измерения времен жизни фотогенерированных носителей тока в полупроводниках»
Источники света:
1. Азотный лазер ЛГИ-505, длина волны 337 нм с длительностью импульса 10 нс.
2. Эксимерный лазер Lambda Physik LPX-100, длина волны 308 нм с длительностью импульса 10 нс.
3. Лазер на красителях FL 3002 с накачкой эксимерным лазером Lambda Physik LPX-100, длины волн 400-1000 нм, длительность импульса – 20 нс.
Документы:
Приказ о создании УНУ “Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ”
Положение об УНУ “Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ”
Регламент доступа к оборудованию “УНУ Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ”
Порядок конкурсного отбора заявок и выполнения работ в УНУ “Микроволновая фотопроводимость 9 ГГЦ”
Контакты
По вопросам календарной загрузке УНУ, текущем плане работ, а также о порядке расчета стоимости нестандартных услуг обращаться:
Руководитель УНУ: к.ф.-м.н. Рабенок Евгения Витальевна
Тел./факс: (49652)21842
e-mail: rabenok@icp.ac.ru